碳化硅與氮化鎵的相同之處 碳化硅與氮化鎵均屬于寬禁帶半導體材料，它們具有禁帶寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導電性能好的特點。隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。 碳化硅與氮化鎵的優(yōu)點與不足 碳化硅又叫金剛砂，是用石英砂、石油焦、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物——莫桑石，在當代C、N、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經(jīng)濟的一種。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體。 氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，該化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器的條件下，產(chǎn)生紫光激光。